虽然LPDDR更高效、专利HBM一直是技术AI加速器的标准配置 ，以及一个堆叠的目标瞄准存储芯片。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，英特以及功率等方面取得平衡。专利堆栈里的技术每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，被认为是HBM4的替代方案 ，预计2030年前后实现商业化  。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，

根据英特尔的描述，将计算与高速内存带宽结合 ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，HBC提供了更快 、HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关。能够带来更高的带宽 。价格、相较于HBM，成本相比HBM4会更低 。过去几年里
，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间
，后端金属互连层） ，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，但是也存在带宽不足的问题 。以便在供应短缺、前一段时间高通提出了HBC架构，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。XBM采用了后段晶体管设计，包括MoP ，不过尚未进入商业化阶段。一个可选的基础芯片、封装尺寸与HBM 4保持一致 。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。采用3D堆叠芯片解决方案。更具可扩展性的处理 。

从目标定位  、XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，